Конкурс на получение грантов РНФ по выполнению научных исследований по приоритетным направлениям НТР Российской Федерации по направлению «Микроэлектроника» в области производства оптоэлектронных приборов (№3036)
Цель проведения конкурса на получение грантов РНФ по выполнению научных исследований по приоритетным направлениям НТР Российской Федерации по направлению «Микроэлектроника» в области производства оптоэлектронных приборов (№3036) — оказание организационной и финансовой поддержки проектам по проведению прикладных научных исследований в рамках технологических предложений, отобранных в результате конкурсного отбора по определению тематик ориентированных и (или) прикладных научных исследований, опытно-конструкторских и технологических работ, опытно-конструкторских разработок, представляемых на конкурсы, проводимые Российским научным фондом (протокол правления Фонда № 22 от 28.11.2024).
Грант предоставляется на условиях финансовой и организационной поддержки на выполнение Проектов организации-Заказчика технологического предложения и его обязательств по софинансированию Проекта в объеме не менее 5% от размера гранта и использования результатов Проекта.
Реализация мероприятий направлена на практическое применение новых знаний, формирование научных, технологических, конструкторских заделов, обеспечивающих освоение производств перспективных изделий в рамках стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно-технологической сфере. В ходе реализации Проекта должно быть достигнуто решение конкретной технической или технологической задачи в рамках технологического предложения и (или) получены новые знания в целях их последующего практического применения, формирования научно-практического задела в разработке перспективных технологий в критически значимых направлениях стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно-технологической сфере.
Результатом предоставления гранта является разработанная в рамках реализации проекта технология, подтвержденная изготовленным по ней прототипом изделия, а также в результате выполнения проекта должен быть создан и зарегистрирован в соответствии с законодательством Российской Федерации результат интеллектуальной деятельности (РИД).
Конкурс проводится по 5 лотам:
Лот № 1, тема: «Разработка конструкции и технологии изготовления интегральных фотодиодов/линейки фотодиодов с чувствительностью не менее 0,95 А/Вт».
Размер гранта по лоту № 1 составляет до 90 000,0 тыс. руб., в том числе:
- в 2026 году на первый этап выполнения Проекта – до 30 000,0 тыс. руб.;
- в 2027 году на второй этап выполнения Проекта – до 30 000,0 тыс. руб.;
- в 2028 году на третий этап выполнения Проекта – до 30 000,0 тыс. руб.
Лот № 2, тема: «Исследования и разработка усовершенствованных технологий изготовления пиксельных архитектур высокой плотности для матричных КМОП фотоприемников видимого диапазона спектра».
Размер гранта по лоту № 2 составляет до 90 000,0 тыс. руб., в том числе:
- в 2026 году на первый этап выполнения Проекта – до 30 000,0 тыс. руб.;
- в 2027 году на второй этап выполнения Проекта – до 30 000,0 тыс. руб.;
- в 2028 году на третий этап выполнения Проекта – до 30 000,0 тыс. руб.
Лот № 3, тема: «Исследования и разработка усовершенствованных технологий изготовления пиксельных архитектур высокой плотности для OLED микродисплеев».
Размер гранта по лоту № 3 составляет до 90 000,0 тыс. руб., в том числе:
- в 2026 году на первый этап выполнения Проекта– до 30 000,0 тыс. руб.,
- в 2027 году на второй этап выполнения Проекта – до 30 000,0 тыс. руб.,
- в 2028 году на третий этап выполнения Проекта – до 30 000,0 тыс. руб.
Лот № 4, тема: «Разработка базовой конструкции и технологии изготовления усилительного узла эмиссионного приемника изображения малоконтрастных объектов, диагностируемых в излучениях экстремальной части ультрафиолетового диапазона».
Размер гранта по лоту № 4 составляет до 90 000,0 тыс. руб., в том числе:
- в 2026 году на первый этап выполнения Проекта – до 30 000,0 тыс. руб.;
- в 2027 году на второй этап выполнения Проекта – до 30 000,0 тыс. руб.;
- в 2028 году на третий этап выполнения Проекта – до 30 000,0 тыс. руб.
Лот № 5, тема: «Разработка гетероэпитаксиальных структур и конструкции кристаллов суперлюминисцентных диодов (СЛД) диапазона 1530−1570 нм с повышенной оптической мощностью от 2 мВт при токе накачки до 150 мА без дополнительного охлаждения».
Размер гранта по лоту № 5 составляет до 30 000,0 тыс. руб., в том числе:
- в 2026 году на первый этап выполнения Проекта – до 10 000,0 тыс. руб.;
- в 2027 году на второй этап выполнения Проекта – до 10 000,0 тыс. руб.;
- в 2028 году на третий этап выполнения Проекта – до 10 000,0 тыс. руб.
Технические требования к Проектам указаны в Приложение № 1 к конкурсной документации. На их основании организация-участник конкурса формирует техническое задание и план-график выполнения работ по проекту.
Подробная информация о конкурсе и требования к участникам размещены на официальном сайте РНФ в разделе «Конкурсы» (конкурс № 3036):
Участие представителей СПбПУ осуществляется централизованно. Организационно-методическое сопровождение конкурса осуществляет Сектор научных конкурсов Отдела сопровождения конкурсов (1-й уч. корпус, 324 к., тел. 534-33-02, электронная почта: toy@spbstu.ru). Для подтверждения участия в конкурсе необходимо предоставить заявку о намерении принять участие в конкурсе в Сектор научных конкурсов Отдела сопровождения конкурсов.
Прием документов на конкурс будет осуществляться в срок до 16 марта 2026 года Сектором научных конкурсов Отдела сопровождения конкурсов.
Контакты для справок в Отделе сопровождения конкурсов СПбПУ: ведущий специалист Отдела сопровождения конкурсов Тарасовская Ольга Юрьевна.
Прием документов осуществляется с 10:00 до 17:00 ежедневно, кроме выходных и праздничных дней по адресу: Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 29, 1-й уч. корпус, каб. 324.
Телефон и e-mail для справок: toy@spbstu.ru, +7 (812) 534-33-02