24 Декабря 2024 г. Нечетная неделя

I Международная конференция «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов»

Начало 21 Октября 2019 10:00
Конец 23 Октября 2019 18:00
Адрес:
ФИЦ ИУ РАН, г. Москва, ул. Вавилова, д. 40

Конференция будет проводиться с 21 по 23 октября 2019 г. в Москве на базе Федерального исследовательского центра " Информатика и управление" РАН.

Тематика  конференции:

  • Современные проблемы создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов с заданными свойствами, включая применение новых методов и средств анализа больших данных;
  • проблемы развития материаловедения квантоворазмерных электронных гетероструктур;
  • Математическое моделирование в структурном материаловедении (многоуровневые, многомасштабные модели, имитационные модели и т.д.).
  • Моделирование размерных, радиационных, поверхностных и других дефектов в полупроводниковой наноэлектронике;
  • Моделирование работы многоуровневых элементов памяти для компьютеров следующего поколения;
  • Моделирование структур и свойств композиционных материалов с нанокристаллами, нанокластерами, наноаморфными включениями и т.д.

Место проведения конференция

Конференция будет проводиться в Вычислительном центре Федерального исследовательского центра "Информатика и управление" РАН, по адресу: г. Москва, ул. Вавилова, д.40.

Представление материалов для участия

  • Тезисы докладов должны быть присланы не позднее 21 июня 2019 г. с названием и авторами предполагаемого доклада  и заполненной заявкой на участие (matmodel2013@gmail.com).
  • Тезисы докладов принимаются в формате Microsoft Word. Объем - до трёх полных страниц формата A4. Правила оформления: поля со всех сторон 25 мм, шрифт Times New Roman, кегль 12pt, межстрочный интервал полуторный. Формулы должны быть набраны в редакторе Microsoft Equation или MathType.
  • Тексты статей для публикаций в журналах  из списка ВАК - Известия вузов. Материалы электронной техники (специальный выпуск),  Электроника НТБ, Наноиндустрия, Фотоника за 2019 г. необходимо направить  на рецензирование по электронному адресу matmodel2013@gmail.com до 15 июля 2019 г.
  • Отдельные из статей будут опубликованы в журналах Russian Microelectronics (WoS) и Phys.st.sol. (B) (WoS, Scopus).
  • Для участия в Конференции в качестве слушателя (без доклада) необходимо до 1 октября 2019 г. направить по электронному адресу matmodel2013@gmail.com заполненную заявку на участие.